01 5G যুগে ব্যাপক উন্নয়ন: 5G বেস স্টেশনগুলির জন্য নতুন প্রয়োজনীয়তা!
5G বেস স্টেশনগুলি BBU (বেসব্যান্ড ইউনিট) এবং RRU (রিমোট রেডিও ইউনিট) নিয়ে গঠিত।RRU সাধারণত অ্যান্টেনার কাছাকাছি অবস্থান করে, যেখানে অপটিক্যাল ফাইবার BBU এবং RRU কে সংযুক্ত করে এবং সমাক্ষ তারগুলি RRU এবং অ্যান্টেনাকে তথ্য প্রেরণের জন্য সংযুক্ত করে।3G এবং 4G-এর তুলনায়, 5G-তে BBU এবং RRU-কে উল্লেখযোগ্যভাবে বর্ধিত ডেটা ভলিউম পরিচালনা করতে হবে, উচ্চতর ক্যারিয়ার ফ্রিকোয়েন্সি সক্রিয় চিপগুলিতে সরাসরি কারেন্টের অস্থির সরবরাহের দিকে পরিচালিত করে।এটি ফিল্টারিং, শব্দ নির্মূল এবং মসৃণ কারেন্ট প্রবাহ নিশ্চিত করার জন্য কম সমতুল্য সিরিজ প্রতিরোধ (ESR) ক্যাপাসিটারগুলির প্রয়োজন।
02 YMIN স্ট্যাকড ক্যাপাসিটর এবং ট্যানটালাম ক্যাপাসিটর গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে
| টাইপ | সিরিজ | ভোল্টেজ (V) | ক্যাপাসিট্যান্স (uF) | মাত্রা(মিমি) | তাপমাত্রা (℃) | জীবনকাল (ঘন্টা) | সুবিধা |
| মাল্টিলেয়ার পলিমার কঠিন অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর | MPD19 | 2.5 | 330 | 7.3*4.3*1.9 | -55~+105 | 2000 | অতি-নিম্ন ESR 3mΩ অতি-বড় রিপল স্রোত সহ্য করে 10200mA |
| 2.5 | 470 | ||||||
| এমপিএস | 2.5 | 470 | |||||
| MPD28 | 6.3 | 470 | 7.3*4.3*2.8 | ||||
| 20 | 100 | ||||||
| পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার | TPB19 | 16 | 47 | 3.5*2.8*1.9 | -55~+105 | 2000 | ছোট আকার বড় ক্ষমতা জারা প্রতিরোধের উচ্চ স্থিতিশীলতা |
| 25 | 22 |
5G বেস স্টেশনগুলিতে, YMIN স্ট্যাকড ক্যাপাসিটর এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটরগুলি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, চমৎকার ফিল্টারিং ফাংশন প্রদান করে এবং সিগন্যালের অখণ্ডতা নিশ্চিত করে।স্তুপীকৃত ক্যাপাসিটরগুলির 3mΩ এর একটি অতি-নিম্ন ESR রয়েছে, কার্যকরভাবে স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করতে এবং সিগন্যালের গুণমান এবং স্থিতিশীলতা উন্নত করতে পাওয়ার লাইন থেকে শব্দ ফিল্টার করে।ইতিমধ্যে, পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটরগুলি, তাদের অসামান্য উচ্চ-তাপমাত্রার কার্যকারিতা এবং দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতার কারণে, 5G বেস স্টেশনগুলির উচ্চ-তাপমাত্রা পরিবেশে ব্যবহারের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত, উচ্চ-গতির সংকেত সংক্রমণ সমর্থন করে এবং যোগাযোগের নির্ভরযোগ্যতা এবং দক্ষতা নিশ্চিত করে।এই উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ক্যাপাসিটারগুলির প্রয়োগ 5G প্রযুক্তির উচ্চ-গতি, উচ্চ-ক্ষমতার ক্ষমতা অর্জনের জন্য মৌলিক।
A. নিম্ন ESR (সমমান সিরিজ প্রতিরোধ):স্তুপীকৃত ক্যাপাসিটর এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি অত্যন্ত কম ESR ধারণ করে, বিশেষ করে স্ট্যাক করা ক্যাপাসিটারগুলি 3mΩ এর অতি-নিম্ন ESR অর্জন করে।এর অর্থ হল তারা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে শক্তির ক্ষতি কমাতে পারে, পাওয়ার দক্ষতা উন্নত করতে পারে এবং 5G বেস স্টেশনগুলির দক্ষ অপারেশন নিশ্চিত করতে পারে।
B. উচ্চ লহর বর্তমান সহনশীলতা:স্তুপীকৃত ক্যাপাসিটর এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটরগুলি বৃহৎ রিপল স্রোত সহ্য করতে পারে, 5G বেস স্টেশনগুলিতে বর্তমান ওঠানামা পরিচালনার জন্য উপযুক্ত, স্থিতিশীল পাওয়ার আউটপুট প্রদান করে এবং বিভিন্ন লোড পরিস্থিতিতে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
গ. উচ্চ স্থিতিশীলতা:স্তুপীকৃত ক্যাপাসিটর এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি উচ্চ স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে, বর্ধিত সময়কালে তাদের বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা বজায় রাখে।এটি 5G বেস স্টেশনগুলির জন্য বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ যার জন্য দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীল অপারেশন প্রয়োজন, সরঞ্জামের নির্ভরযোগ্যতা এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করা।
03 উপসংহার
YMIN স্ট্যাকড পলিমার সলিড-স্টেট ক্যাপাসিটর এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটরগুলিতে অতি-লো ESR, উচ্চ রিপল কারেন্ট সহনশীলতা এবং উচ্চ স্থিতিশীলতার মতো বৈশিষ্ট্য রয়েছে।তারা কার্যকরভাবে 5G বেস স্টেশনগুলিতে সক্রিয় চিপগুলিতে অস্থির বিদ্যুৎ সরবরাহের ব্যথার পয়েন্টগুলিকে কার্যকরভাবে সমাধান করে, এমনকি বাইরের তাপমাত্রার ওঠানামার মধ্যেও পণ্যের দীর্ঘায়ু এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।তারা 5G বেস স্টেশনগুলির উন্নয়ন এবং প্রতিষ্ঠার জন্য দৃঢ় আশ্বাস প্রদান করে।
পোস্টের সময়: জুন-০৭-২০২৪