01 5 জি যুগে বিস্তৃত বিকাশ: 5 জি বেস স্টেশনগুলির জন্য নতুন প্রয়োজনীয়তা!
5 জি বেস স্টেশনগুলিতে বিবিইউ (বেসব্যান্ড ইউনিট) এবং আরআরইউ (রিমোট রেডিও ইউনিট) রয়েছে। আরআরইউ সাধারণত অ্যান্টেনার কাছাকাছি অবস্থিত, অপটিকাল ফাইবার বিবিইউ এবং আরআরইউকে সংযুক্ত করে এবং তথ্য সংক্রমণের জন্য আরআরইউ এবং অ্যান্টেনাকে সংযুক্ত করে কোক্সিয়াল কেবলগুলি। 3 জি এবং 4 জি এর সাথে তুলনা করে, 5 জি -তে বিবিইউ এবং আরআরইউকে উল্লেখযোগ্যভাবে বর্ধিত ডেটা ভলিউমগুলি পরিচালনা করতে হবে, উচ্চতর ক্যারিয়ার ফ্রিকোয়েন্সিগুলির সাথে সক্রিয় চিপগুলিতে সরাসরি কারেন্ট সরবরাহের অস্থির সরবরাহের দিকে পরিচালিত করে। ফিল্টারিং, শব্দ দূরীকরণ এবং মসৃণ বর্তমান প্রবাহ নিশ্চিত করার জন্য এটি কম সমতুল্য সিরিজ প্রতিরোধের (ইএসআর) ক্যাপাসিটারগুলির প্রয়োজন।
02 ইয়মিন স্ট্যাকড ক্যাপাসিটার এবং ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে
| প্রকার | সিরিজ | ভোল্টেজ （ভি） | ক্যাপাসিট্যান্স (ইউএফ) | মাত্রা (মিমি) | তাপমাত্রা (℃） | জীবনকাল (ঘন্টা） | সুবিধা |
| মাল্টিলেয়ার পলিমার সলিড অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার | এমপিডি 19 | 2.5 | 330 | 7.3*4.3*1.9 | -55 ~+105 | 2000 | আল্ট্রা-লো ইএসআর 3 এম Ω আল্ট্রা-লার্জ রিপল বর্তমান সহ্য করে 10200ma |
| 2.5 | 470 | ||||||
| সংসদ সদস্য | 2.5 | 470 | |||||
| এমপিডি 28 | 6.3 | 470 | 7.3*4.3*2.8 | ||||
| 20 | 100 | ||||||
| পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার | টিপিবি 19 | 16 | 47 | 3.5*2.8*1.9 | -55 ~+105 | 2000 | ছোট আকার বড় ক্ষমতা জারা প্রতিরোধের উচ্চ স্থায়িত্ব |
| 25 | 22 |
5 জি বেস স্টেশনগুলিতে, ইয়িমিন স্ট্যাকড ক্যাপাসিটার এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, দুর্দান্ত ফিল্টারিং ফাংশন সরবরাহ করে এবং সংকেত অখণ্ডতা নিশ্চিত করে। স্ট্যাকড ক্যাপাসিটারগুলির 3MΩ এর একটি অতি-নিম্ন ইএসআর রয়েছে, স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করতে এবং সংকেতের গুণমান এবং স্থায়িত্ব বাড়ানোর জন্য কার্যকরভাবে পাওয়ার লাইনগুলি থেকে শব্দটি ফিল্টার করে। এদিকে, তাদের অসামান্য উচ্চ-তাপমাত্রার কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতার কারণে পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি বিশেষত 5 জি বেস স্টেশনগুলির উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত, উচ্চ-গতির সংকেত সংক্রমণকে সমর্থন করে এবং যোগাযোগের নির্ভরযোগ্যতা এবং দক্ষতা নিশ্চিত করে। এই উচ্চ-পারফরম্যান্স ক্যাপাসিটারগুলির প্রয়োগ 5 জি প্রযুক্তির উচ্চ-গতি, উচ্চ-ক্ষমতা সম্পন্ন ক্ষমতা অর্জনের জন্য মৌলিক।
উ: লো ইএসআর (সমতুল্য সিরিজ প্রতিরোধের):স্ট্যাকড ক্যাপাসিটার এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি অত্যন্ত কম ইএসআর রাখে, বিশেষত স্ট্যাকড ক্যাপাসিটারগুলি 3MΩ এর একটি অতি-নিম্ন ইএসআর অর্জন করে Ω এর অর্থ তারা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে শক্তি হ্রাস হ্রাস করতে পারে, বিদ্যুতের দক্ষতা উন্নত করতে পারে এবং 5 জি বেস স্টেশনগুলির দক্ষ অপারেশন নিশ্চিত করতে পারে।
বি। উচ্চ রিপল বর্তমান সহনশীলতা:স্ট্যাকড ক্যাপাসিটার এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি বৃহত্তর রিপল স্রোতগুলি সহ্য করতে পারে, 5 জি বেস স্টেশনগুলিতে বর্তমান ওঠানামাগুলি পরিচালনা করার জন্য উপযুক্ত, স্থিতিশীল পাওয়ার আউটপুট সরবরাহ করে এবং বিভিন্ন লোড অবস্থার অধীনে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করতে পারে।
সি। উচ্চ স্থায়িত্ব:স্ট্যাকড ক্যাপাসিটার এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলি উচ্চ স্থায়িত্ব প্রদর্শন করে, বর্ধিত সময়কালে তাদের বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা বজায় রাখে। দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীল অপারেশন প্রয়োজন, সরঞ্জামের নির্ভরযোগ্যতা এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করে এটি 5 জি বেস স্টেশনগুলির জন্য বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ।
03 উপসংহার
ইয়িমিন স্ট্যাকড পলিমার সলিড-স্টেট ক্যাপাসিটার এবং পরিবাহী পলিমার ট্যানটালাম ক্যাপাসিটারগুলির মধ্যে আল্ট্রা-লো ইএসআর, উচ্চ রিপল বর্তমান সহনশীলতা এবং উচ্চ স্থায়িত্বের মতো বৈশিষ্ট্য রয়েছে। তারা কার্যকরভাবে 5 জি বেস স্টেশনগুলিতে সক্রিয় চিপগুলিতে অস্থির বিদ্যুৎ সরবরাহের ব্যথা পয়েন্টগুলিকে কার্যকরভাবে সম্বোধন করে, এমনকি বহিরঙ্গন তাপমাত্রার ওঠানামার অধীনে এমনকি পণ্যের দীর্ঘায়ু এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। তারা 5 জি বেস স্টেশনগুলির বিকাশ এবং প্রতিষ্ঠার জন্য দৃ ust ় আশ্বাস সরবরাহ করে।
পোস্ট সময়: জুন -07-2024